تتكون من الترانزستورات والمكثفات

تستخدم ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (SRAM) (SRAM is Static Random Access Memory) ستة ترانزستورات ويتم تصنيعها باستخدام تقنية (CMOS)، تتكون بنية (SRAM) من اثنين من الترانزستورات الإضافية المسؤولة عن التحكم في الوصول.